为减少电源中的电磁干扰而进行的省时、经济高效的创新-IT稳压IC关键技术
随着电子系统变得越来越密集和互连，减少电磁干扰（EMI）的影响成为越来越重要的系统设计考虑因素。
1、什么是EMI？
电磁干扰（EMI）是一种电磁能量，是开关电流和电压产生的不良副产品，它来自各种物理现象，并在严格的电磁干扰测试中表现出来。
2，TL3844BP稳压IC、减少电磁干扰的常规方法
减少电磁干扰是一项充满权衡的努力。减少电磁干扰的传统方法包括使用大型、昂贵的滤波器或降低开关转换率，这是一种直接影响效率的技术，TL3844BP稳压IC。
3、减少电磁干扰的创新
为了实现开关电源的所有优点，降低EMI技术必须解决传统的权衡问题。这需要针对低频和高频EMI的创造性解决方案，以及精确的建模技术，TL3844BP稳压IC。
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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法2-稳压IC技术专题
另一种缓解EMI的传统方法是使用扩频（或时钟抖动）来调制开关电源的开关频率，这将减少与基本开关频率及其谐波相关的频谱峰值，但以增加噪声地板为代价，如图5所示。
扩频技术是一种很有吸引力的技术，因为它易于实现，而且您可以将其与其他EMI降低方法结合使用。然而，它并不是***的，因为它只能相对减少现有的电磁干扰，而且本质上，它的性能随着开关频率的降低而降低。此外，您传统上只能将扩频应用于单个频带，原因我们将在下一节中探讨。
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取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸，针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示，改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层（如黑色所示），用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口，并有助于产生抵消CM电压，使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流，使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应（流入二次层的CM电流接近于零）减少了CM发射，明显帮助设计满足EMI频谱标准，且CM滤波很好小。
图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。
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图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。
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扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。
带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。
包裹散热-稳压IC知识
•热棒™ 包装材料
•增强型热棒QFN，支持热垫
HotRodTM封装消除了键合线，同时保持了优异的热性能。
支持小型无源器件的拓扑和电路
•多电平变流器拓扑
•高级功率级门驱动器
多级拓扑结构可实现更小的磁性。
集成比较大限度地减少寄生并减少系统占用F
•MicroSiP 3D模块集成
•具有低回路电感的GaN和驱动器多芯片模块（MCM）
GaN+栅驱动器MCM可减少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP软件包。
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稳压IC专题
由于DC/DC转换器的功率路径中存在寄生电感，高转换率还会导致高频开关节点振铃，从而进一步增加振铃频率及以上的发射。
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下页的图7显示了切换节点上的转换速率和相关振铃如何影响排放。限制开关转换引起的EMI发射的传统方法是通过在开关设备的栅极驱动路径中添加有意的电阻来降低它们的速度。这会导致转换速度变慢，导致更快的发射衰减，并在振铃频率下减少8到10 dB的发射。然而，这种开关边缘的减速会导致开关转换器的峰值电流效率降低2%-3%。
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