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    而增加数据线和提高频率，则是提高性能的途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K)Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。闪存芯片容量识别编辑081G128M082G256M084G512M088G1G08AG2GAG081GBG084G闪存芯片供应动态编辑日前，SandForce的新东家芯片公司LSI表示。深圳市派大芯科技有限公司是一家专业从事电子元器件配套加工服务的企业，专业提供IC激光刻字\IC精密打磨。

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