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霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到普遍的应用。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的器件，它可以见到到磁场的变化，这个特性使得它应用普遍。我们以滑盖手机为例，南通全极霍尔元件，当手机盖侧的磁铁靠近手机侧的霍尔元件时，会产生霍尔电压，然后进行放大给手机的CUP处理，比如关闭屏幕等动作，南通全极霍尔元件。我司是专业的霍尔元件生产厂家，南通全极霍尔元件。 我公司霍尔产品拥有超大库存，可以快速发货。每一箱霍尔产品都会在工厂备案，提供一对一完善的售后服务。南通全极霍尔元件
HX3144是一种单极霍尔效应传感器IC。它采用先进的斩波稳定技术，提供准确稳定的磁开关点。设计、规格和性能对固态开关的应用进行了优化。输出晶体管将在具有足够强的南极磁场的情况下打开(BOP)，该磁场面向封装的标记侧。同样，输出将被关闭(B)在南野较弱的情况下，与“0”场保持距离。包类型在无卤版本中，由第三方组织进行了验证。无卤素包装可供客户选择。特点和优点DMOS霍尔IC技术。电源销反向偏置保护。固态可靠性斩波稳定放大器级。单极，输出开关，感应磁铁南极。操作降低到。高灵敏度的直接簧片开关更换应用。在125测试K规格。自定义灵敏度/温度选择是可用的。良好的ESD保护。常见应用：半导体开关限位开关极限开关电流限制电流传感用于簧片开关更换的磁铁接近传感器。 南京线性霍尔元件我公司拥有世界前列霍尔研发能力，霍尔产品设计能力，与多家**科学研究院建立合作关系。
霍尔元件在电动车中的应用霍尔元件在电动车速度控制开关中的作用：旋转手柄的旋转角度由霍尔元件转换为可变数字电压到可变数字电压，以便为控制器提供调节的目的。一般使用线性霍尔元件来实现该功能，如HX6649,HX6659,HX6639等线性霍尔元件其次，霍尔元件在电动汽车电机中的作用：霍尔元件在电动汽车电机中的主要作用是改变相电流的方向，用来代替电机的电刷，所以使用霍尔元件的电机必须是无刷电机。一般使用锁存型霍尔元件如HX41F,HXS41H,HX6571等霍尔元件在电动车辆断开制动中的作用：断开制动的霍尔元件是将制动时产生的磁场强度变化转化为数字电压，为电机提供动力启动刹车装置。一般使用单极霍尔元件如HX6286,HX6278,HX6287等。
霍尔元件在电子防盗锁中的应用
电子防盗锁主要由电池供电，内部装置对功耗有一定要求。全级霍尔元件非常低的工作电压达到2.4V，全级霍尔元件的功耗达到微安级，经常被应用于低功耗产品中。
微功率霍尔元件主要在电子锁中起到限位开关的作用，起到霍尔元件与磁铁的协调作用。磁铁靠近霍尔元件的时候低电平输出。当磁铁离开霍尔元件元素输出一个高水平并进行关闭动作时，做一个打开动作。
这种全级低功耗的霍尔元件可以感知N级和S级，无论即将到来的N或S电平是信号输出，然后进行动作。
它是一种基于混合信号CMOS技术的非极性霍尔开关。该芯片采用先进的斩波稳定技术，能够提供准确、稳定的磁开关点。
如HX6383,HX6363,HX6393,HX6373等都是全极微功耗霍尔元件 无锡华芯晟霍尔元件是质量的霍尔元件生产厂家，十七年来一直做霍尔，是霍尔的行业**企业。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到普遍的应用。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。 质量霍尔元件尽在华芯--十六年专业做霍尔华芯专业大量提供霍尔元件批发,量大采购有优惠!河源锁存霍尔元件
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霍尔线性器件线性霍尔元件是一种模拟信号输出的磁传感器，输出电压随输入的磁力密度线性变化。
线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确测量磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。 南通全极霍尔元件
无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年，是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。
华芯公司注重研发,公司拥有一批专业器件设计、集成电路设计和测试的工程师，并具有前列的开发测试平台。已经开发了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多项具有自主知识产权、**中国集成电路水平的**产品。并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。
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