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      如何使用霍尔元件检测磁场？使用霍尔器件检测磁场的方法极为简单，将霍尔器件作成各种形式的探头，放在被测磁场中，因霍尔器件只对垂直于霍尔片的表面的磁感应强度敏感，因而必须令磁力线和器件表面垂直，通电后即可由输出电压得到被测磁场的磁感应强度。若不垂直，重庆霍尔元件价格，则应求出其垂直分量来计算被测磁场的磁感应强度值。而且，因霍尔元件的尺寸极小，可以进行多点检测，由计算机进行数据处理，可以得到场的分布状态，并可对狭缝，重庆霍尔元件价格，重庆霍尔元件价格，小孔中的磁场进行检测。霍尔元件,无损耗耐用,行业**!华芯霍尔元件厂家直销,十六年专业做霍尔！重庆霍尔元件价格

    HX6278是一种单极霍尔效应传感器IC。它采用先进的斩波稳定技术，提供准确稳定的磁开关点。设计、规格和性能对固态开关的应用进行了优化。输出晶体管将在具有足够强的南极磁场的情况下打开(BOP)，该磁场面向封装的标记侧。同样，输出将被关闭(B)在南野较弱的情况下，与“0”场保持距离。包类型在无卤版本中，由第三方组织进行了验证。无卤素包装可供客户选择。特点和优点CMOS霍尔集成电路技术固态可靠性斩波稳定放大器级具有南极的单极输出开关操作电压降至用于直接簧片开关更换的高灵敏度在125℃对K标准进行测试。自定义灵敏度/温度选择是可用的。常见应用：半导体开关限位开关极限开关电流限制电流传感用于簧片开关更换的磁铁接近传感器。 重庆霍尔元件价格***霍尔元件供应商华芯晟片,大厂供货,量大无忧,欢迎大量采购!十六年专业品质,我们只做质量霍尔!

霍尔元件在手电筒中的应用：

手电筒霍尔元件的设计提供了内部控制时钟机制，通过定期扫描提供给霍尔器件和模拟信号处理电路。电路的一部分用于“睡眠”模式下的高电流消耗。周期性地唤醒内部电路以根据霍尔元件的通量确定预定阈值。磁通中的密度低于或高于BOP/BRP阈值，则驱动输出晶体管的相应状态将改变，在睡眠周期期间，输出晶体管被锁定在先前状态。手电筒霍尔元件它极大地延长了电池的使用寿命，以满足客户对低功耗系统的要求。一般使用全极微功耗的霍尔元件，如：如HX6383，HX6382,HX6363,HX6373等全极微功耗霍尔开关。

    HX6659是一种线性霍尔效应传感器，由霍尔传感器、线性放大器和图腾极输出级组成.它具有输出噪声低的特点，不需要使用外部滤波。它也可以提供更高的温度稳定性和准确性。线性霍尔传感器的工作温度范围为-40℃至105℃，适用于商业、消费和工业env。environments环境(environment的名词复数)霍尔效应传感器的高灵敏度精确极微弱的磁通密度变化.线性源输出电压由电源电压和变化比例决定。磁通密度。典型的工作电流为，工作电压范围为。TRIM版本可用于**偏移量应用。三种可用的包样式为大多数应用程序提供了磁优化的解决方案。封装类型也是SOT-23()，SQ是QFN2020-3()，**小温度低剖面表面贴装封装，而封装UA是一个三引线超小型SIP通过孔安装特点和优点：工作电压范围：5VDC低噪声作业电路设计灵活性的线性输出图腾-稳定而精确的输出极对正反两种情况的反应磁力优化的UA，SQ，SO包TRIM版可用于高精度的应用。鲁棒ESD性能常见应用：电流传感电动机控制器位置传感磁码读数旋转编码器。 我公司霍尔产品拥有超大库存，可以快速发货。每一箱霍尔产品都会在工厂备案，提供一对一完善的售后服务。

霍尔元件怎么使用？  

霍尔器件是一种对磁场强度起反应的小型器件，只要它附近的磁场有变化它就有反应并输出相应的电压或脉冲电压（开关型霍尔器件）。

在用霍尔传感器测量直流电动机的转速时，将一个小磁铁块固定在电机的转子上，将霍尔传感器（开关型）靠近小磁铁附近，当电机转动以后，磁铁会以一定的周期靠近传感器一次，这样霍尔传感器将输出一个低电平，当小磁铁远离传感器时，传感器输出一个高电平。将这个脉冲送到单片机内部定时器，计算出脉冲一个周期的时间，就可以算出电机的转速。  霍尔哪家好,电机霍尔,选择华芯晟准没错!华芯晟提供各种类型的霍尔元件 。重庆霍尔元件价格

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霍尔元件在行车记录仪四中的应用：

行车记录仪是一种记录车辆在行驶过程中的图像和声音的仪器。行车记录仪安装好后，可以记录车辆行驶全过程的视频图像和声音，为交通意外提供充分的证据。

行车记录仪霍尔传感器主要起行车记录仪的速度检测功能。行车记录仪霍尔传感器一般采用全极霍尔传感器。交通记录仪霍尔传感器的应用范围很广，不同类型的温度会有所不同。行车记录仪的霍尔传感器也会有所不同，类型选择也比较普遍。一般使用全极微功耗的霍尔元件，如如HX6383，HX6382,HX6363,HX6373等 重庆霍尔元件价格

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华芯公司注重研发,公司拥有一批专业器件设计、集成电路设计和测试的工程师，并具有前列的开发测试平台。已经开发了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多项具有自主知识产权、**中国集成电路水平的**产品。并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。

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