莱芜反并联可控硅模块组件 淄博正高电气供应

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗明显增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高电气有限公司具备雄厚的实力和丰富的实践经验。莱芜反并联可控硅模块组件

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

  如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏，工程师可以使用万用表选电阻R×1挡，然后将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 莱芜反并联可控硅模块组件淄博正高电气有限公司品牌价值不断提升。

选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；

(4)空气相对湿度≤85%；

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；

(6)气压86—106Kpa；

(7)无剧烈震动或冲击；

(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。

可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广，它已经应用到了很多电子设备中，不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的，下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。

1．选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

  若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通可控硅模块。

  若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向可控硅模块。

  若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断可控硅模块。

  若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG可控硅模块。

  若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导可控硅模块。

  若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控可控硅模块。 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！

可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。

可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：

可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 淄博正高电气有限公司产品适用范围广，产品规格齐全，欢迎咨询。莱芜反并联可控硅模块组件

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断一个可控硅元件是否完好，工程师需要从四个方面进行检查，首先是判断该元件的三个PN结应完好，其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通，第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通，第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件，才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求，其实非常简单，只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 莱芜反并联可控硅模块组件

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