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A/μsVDRMRepetitivepeakoff-statevoltage断态重复峰值电压断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即断态大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。VVRRM反向重复峰值电压在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。VPPNonrepetitivelinepeakpulsevoltage高不重复线路峰值电压(AV)Averagegatepowerdissipation门极平均散耗功率-WPGMPeakgatepower门极大峰值功率-838电子WPG(AV)AverageGatePower门极平均功率-WTjOperatingJunctionTemperatureRange工作结温为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax,其值相应于可能的高环境温度。℃TstgStorageTemperatureRange贮存温度-℃TLTemperatureforSolderingPurposes引脚承受焊锡极限温度-838电子℃Rth(j-mb)ThermalResistanceJunctiontomountingbase热阻-结到外壳-838电子℃/WRth。
因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。双向可控硅工作原理编辑1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic。2.此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用。
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