新疆高压可控硅模块哪家好 淄博正高电气供应

可控硅模块属于电气元器件，目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件，它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的，使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。

双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第 1和第 3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 淄博正高电气有限公司以质量求生存，以信誉求发展！新疆高压可控硅模块哪家好

可控硅模块选购注意事项:

(1)注明您需要的产品的型号、结构（螺栓、凹台、凸台）、配置散热器型号。

(2)注明您关注的参数要求。

(3)选择电流电压时要留有适当的余量；

可控硅模块使用注意事项：

(1)线路中须有过压过流保护措施，串并联使用时必须有均流措施。

(2)用万用表简单判断器件是否损坏： 门阴极间电阻，应有十几或几十Ω，否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻，应大于1MΩ，（整流管正向除外），电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良，电阻近零时表明器件已击穿。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

(3)严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。

(4)电流为5A以上的可控硅模块要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅模块管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

(5)按规定对主电路中的可控硅模块采用过压及过流保护装置。

(6)要防止可控硅模块控制极的正向过载和反向击穿。

满足可控硅模块工作的必要条件：

（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。

①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。

②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。

（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。

可控硅模块与其它功率器件一样，工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化，直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温淄博正高电气有限公司以创百年企业、树百年品牌为使命，倾力为客户创造更大利益！

只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早，可控硅模块导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅模块导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。

这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅模块导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅模块在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 淄博正高电气有限公司是多层次的组织与管理模式。新疆高压可控硅模块哪家好

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可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 新疆高压可控硅模块哪家好

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