甘肃小功率可控硅模块组件 淄博正高电气供应

可控硅模块的特性

单向晶闸管模块具有其独特的特性：当阳极连接到反向电压时，或阳极连接到正向电压时，但控制极不增加电压，则不会导通，当阳极和控制极同时连接到正向电压时，将变为接通状态。一旦接通，控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压，无论控制电压的极性如何，都将始终处于接通状态。若要关闭，只能将阳极电压降到某个临界值或反向。

双向晶闸管模块的管脚大多按T1，甘肃小功率可控硅模块组件，甘肃小功率可控硅模块组件、T2和G的顺序从左到右排列（当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时），甘肃小功率可控硅模块组件。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时，其接通电流的大小可以改变。 淄博正高电气有限公司欢迎朋友们指导和业务洽谈。甘肃小功率可控硅模块组件

可控硅模块在应用电路中的作用体现在：

可控整流器：如二极管整流器，交流整流器整流为直流，在交流电压不变的情况下，可有效控制直流输出电压，实现交流/直流的转换。

无触点电源静态开关（固态开关）：晶闸管模块作为电源开关元件，可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。

因此，可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域，如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。 甘肃小功率可控硅模块组件淄博正高电气有限公司以诚信为根本，以质量服务求生存。

单向可控硅模块有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有一阳极A1(T1)，二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

  如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏，工程师可以使用万用表选电阻R×1挡，然后将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司坚持“顾客至上，合作共赢”。

可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广，它已经应用到了很多电子设备中，不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的，下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。

1．选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

  若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通可控硅模块。

  若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向可控硅模块。

  若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断可控硅模块。

  若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG可控硅模块。

  若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导可控硅模块。

  若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控可控硅模块。 淄博正高电气有限公司和客户携手诚信合作，共创辉煌！北京小功率可控硅模块组件

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可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 甘肃小功率可控硅模块组件

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