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当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。三极管的工作可靠性较高，寿命较长。深圳硅管三极管厂家供应
三极管的工作原理：线性区NMOS如果栅上加正电压，就会在其下感应出相反极性的负电荷，从而产生N型沟道，使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响，则栅压高一点，产生的沟道就宽一点，导通能力就大一点，这就是线性区。NPN管如果BE结加正向偏置导通，电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外，它们有两个地方可以去：一个是从基极流出，一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高，能收集到的电子就会越多，这也是线性变化的。在线性区，随着电压升高，源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高，电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。深圳PNP型三极管厂家三极管的集电极电流与基极电流成正比。
三极管的结构是由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成。它由以下三个部分组成：基区（BaseRegion）：基区是三极管的中间部分，通常是非导电的。它是由轻度掺杂的半导体材料（通常是硅）构成的。发射区（EmitterRegion）：发射区位于基区的一侧，通常是强烈掺杂的半导体材料（通常是硅）。发射区的掺杂浓度比基区高，形成了一个P-N结。集电区（CollectorRegion）：集电区位于基区的另一侧，通常是中度掺杂的半导体材料（通常是硅）。集电区的掺杂浓度比基区低，形成了另一个P-N结。这三个区域的结构形成了两个P-N结，其中一个是发射结（EmitterJunction），另一个是集电结（CollectorJunction）。
三极管的运用：
（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC。
锗三极管已经逐渐被硅三极管所取代。
特性:晶体三极管具有放大作用，可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号。它的放大倍数称为电流放大倍数，通常用B值表示。晶体三极管还具有开关作用，可以控制电路的导通和截断。此外，晶体三极管的工作速度较快，能够适应高频率的信号处理。应用:晶体三极管广泛应用于各种电子设备和系统中。它常用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。在放大电路中，晶体三极管可以将微弱的音频信号放大成适合扬声器输出的信号。在开关电路中，晶体三极管可以控制电路的导通和截断，实现信号的开关控制。在振荡电路中，晶体三极管可以产生稳定的振荡信号。在稳压电路中，晶体三极管可以实现对电压的稳定调节。极管在电路中与前面说的两个器件是不同的，它具有电流放大功能。深圳PNP型三极管厂家
三极管是一种半导体器件，也被称为晶体管。深圳硅管三极管厂家供应
三极管的创新应用也在不断涌现。随着科技的不断进步，三极管的性能和功能也在不断提升。例如，新型的场效应三极管具有更高的输入阻抗、更低的噪声和更好的线性度，在一些高性能的电子设备中得到了的应用。场效应三极管是一种利用电场效应来控制电流的三极管，具有许多传统三极管所不具备的优点。此外，三极管与其他电子元件的集成化也为电子技术的发展带来了新的机遇。例如，三极管与集成电路的集成，可以实现更加复杂的功能和更高的性能。集成化的三极管可以减少电子设备的体积和重量，提高电子设备的可靠性和稳定性。随着技术的不断进步，三极管的创新应用将会越来越多，为电子技术的发展带来新的活力。深圳硅管三极管厂家供应
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