三极管的 β 值不是一个不变的常数。在实际使用中,调整三极管的集电极电流 I , β 值会随着发生变化。一般说来,台州超快恢复三极管作用,在 I c 很小(例如几十微安)或很大(即接近集电极大允电流 I CM )时, β 值都比较小,在 1mA 以上相当宽的范围内,小功率管的 β 值都比较大,所以,同学们在调试放大电路时,要确定合适的工作电流 I c ,以获得佳放大状态。另外, β 值也和三极管的其它参数一样,跟温度有密切的关系。温度升高, β 值相应变大。一般温度每升高 1℃ ,台州超快恢复三极管作用,台州超快恢复三极管作用, β 值增加 0.5 %~ 1 %。开关三极管可以用很小的电流,控制大电流的通断,有较多的应用。台州超快恢复三极管作用
半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中重要的器件。它主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。低频三极管安装方式三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置。
三极管的工作原理:放大原理因三极管三个区制作工艺的设定以及内部的两个PN结相互影响,使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放大的功能。外加偏置电源配置:要求发射结正偏,集电结反偏。三极管在实际的放大电路中使用时,还需要外加合适的偏置电路。原因是:由于三极管BE结的非线性,基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7v)。当基极与发射极之间的电压小于0.7v时,基极电流就可以认为是0。放大区的特点是,随着IB的增加,IC也增加,IC主要受控于IB,与VCE关系不大,上图清晰地描述了这个现象。通俗点说就是用IB来控制IC,所有三极管是电流控制型器件。还是以水杯模型来加深记忆,放大状态的水杯中,不管水杯高度VCE是多高,IC的高度只受控于IB。
三极管放大电路的原理:信号放大输入信号Ui经C1耦合到VT的基极,使VT的基极电流Ib随Ui变化而变化,致使VT的发射极电流Ie随之变化,并且变化量为(1+β)Ib。Ie在R2两端产生随之变化的压降U2。U2经C2耦合后得到交流输出信号Uo。由于Uo与Ui的相位相同,所以该放大器也叫射极跟随放大器,简称射极跟随器。通过以上分析可知,共集电极放大器的输入信号Ui是从放大器的基极、发射极之间输入的,输出信号Uo取自发射极。由于U2等于Ub−0.6V,所以该放大器有电流放大功能,而没有电压放大功能。三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零。
BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成性损坏或性能下降。 PCM是集电极大允许耗散功率。三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。三极管是一种结型电阻器件,它的三个引脚都有明显的电阻数据。低频三极管安装方式
三极管发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。台州超快恢复三极管作用
三极管有90×&TImes;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的一部分“3”表示三极管。符号的二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。台州超快恢复三极管作用
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