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三极管由于集电结是反向偏置电压，空间电荷区的内电场被进一步加强(PN结变宽)，这样反而对基区扩散到集电结边境的载流子电子有很强的吸引力(电子带负电，同性相斥异性相吸)，使它们很快漂移过集电结(电场的吸引或排斥作用引起的载流子移动叫做漂移)，从而形成集电极电流Icn(方向与电子漂移方向相反)。很明显，Icn=Ien-Ibn，因为百万大军一小部分在基区，剩下的大部分在集电区。在多数载流子电子进入到集电区后，集电区(N型)的少数载流子空穴与基区(P型)的少数载流子电子也会产生漂移运动，中山TOS三极管命名，形成了电流Icbo，中山TOS三极管命名，中山TOS三极管命名，而另有一些会跨过基区到达发射区从而形成Iceo。三极管作为开关时需注意它的可靠性；在基极人为接入了一个负电源VEE，即可解决它的可靠性。中山TOS三极管命名

三极管的工作状态：饱和导通当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。平面三极管生产商三家管PNP型三极管发射区"发射"的是空穴。

三极管的特性有流控特性、放大功能特性；要想让三极管完全导通，必须要让两端加一个大于0.7V的电压，三极管才完全导通。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的重点元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

三极管将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。三极管排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。三极管是一个以b电流Ib 来驱动流过CE 的电流Ic 的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门。平面三极管生产商

三极管发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。中山TOS三极管命名

选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册好。三极管的参数很多，其中必须了解的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可满足95%以上的使用需要。ICM是集电极大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。中山TOS三极管命名

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