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发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，温州三极管参数，温州三极管参数，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 另外，因集电结反偏，温州三极管参数，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。三极管基本的和重要的特性。温州三极管参数

双极管共发射极接法的电压-电流关系输入特性曲线简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。vCE的影响，可以用三极管的内部的反馈作用解释，即vCE对iB的影响。共发射极接法的输入特性曲线见。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。温州三极管参数晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的元件。

三极管的工作状态：饱和导通当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

大功率三极管大功率三极管一般是指耗散功率大于1瓦的三极管。可普遍应用于高、中、低频功率放大、开关电路，稳压电路，模拟计算机功率输出电路。常见的大功率三极管的特点是工作电流大，而且体积也大，各电极的引线较粗而硬，集电极引线与金属外壳或散热片相连。这样金属外壳就是管子的集电极，塑封三极管的自带散热片也就成为集电极了。大功率三极管根据其特征频率的不同分为高频大功率三极管(f(t)>3mhz)和低频大功率三极管 (f(t)<(3mhz)。三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零。

三极管的电子运动原理：发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE发射结加正向电压且发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，但由于基区杂质浓度低，所以空穴形成的电流非常小，近似分析时可忽略不计。可见，扩散运动形成了发射极电流IE。由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加了反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子到达集电结。又由于电源 VBE的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断地进行，形成基极电流IB。三极管的工作状态有四个，放大、截止、饱和、倒置。宁波隔离三极管参数

三极管按工作频率分：低频管、高频管、超频管。温州三极管参数

三极管的运用：（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。（2）PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC。温州三极管参数

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