北京氮化镓芯片开发 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院供应

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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz；适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务，GaAs薄膜型SBD集成电路是目前主流的技术解决方案。研究院可根据客户需求进行定制化开发，可应用于太赫兹混频、倍频、检波等技术方向。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高研发水平，为客户提供更好的服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备较强的异质异构集成技术研发实力和研发基础，公司的研发团队具备深厚的专业知识和丰富的实践经验。通过不断的探索，公司在异质异构集成技术领域取得了重要的突破和进展。在异质异构集成技术方面，公司一直致力于进一步提升产品性能和降低成本，通过对不同材料和结构的理解和应用，实现了不同材料、不同元器件的集成，突破了传统器件的限制，显著提高了产品的性能。公司拥有先进的异质异构集成科研设施和研发平台，为科研人员提供了良好的条件和环境。在这里，研发人员可以充分发挥创造力和智慧，开展深入的研究和实验，不断推进技术的突破和创新。公司与多家高校和科研机构建立了长期稳定的合作关系，共同开展科学研究和成果转化，为公司的发展提供源源不断的动力。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹二极管开发服务。上海化合物半导体芯片工艺技术服务

芯谷高频研究院提供薄膜型SBD集成电路开发服务，适用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。北京氮化镓芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电器件及电路技术开发。研究院拥有先进的光电器件及电路制备工艺，能够为客户提供定制化的技术开发方案和工艺加工服务。公司致力于研发光电集成芯片，以应对新体制微波光子雷达和光通信等领域的发展需求。在此领域，光芯片、器件与模块将为通信网络和物联网等应用提供强有力的支撑。无论是在技术研发上，还是在工艺制备上，研究院都秉持着高标准和严谨精神。通过不断创新和努力奋斗，研究院将不断提升产品质量和技术水平，以满足客户的需求。北京氮化镓芯片开发

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