山西太赫兹器件及电路芯片流片 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院供应

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司在异质异构集成技术服务方面具有专业能力和丰富经验，能够进行多种先进集成材料的制备和研发。以下是公司在集成材料方面的主要能力和研究方向：1、单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆：这些材料用于制造高性能的射频滤波器，如SAW（声表面波）滤波器、BAW（体声波）滤波器和XBAR滤波器等。这些滤波器在通信、雷达和其他高频应用中发挥着关键作用。2、厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆：这些材料用于构建低损耗的光学平台，对于光通信、光学传感和其他光子应用至关重要。3、AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆：这种材料用于新一代的片上光源平台，如光量子器件等。这些平台在量子通信和量子计算等领域有重要应用。4、Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆：这种材料用于制造环栅GAA（GaN on Insulator）和MEMS（微电子机械系统）等器件平台。5、SionSiC/Diamond：这种材料解决了传统Si衬底功率器件散热低的问题，对于高功率和高频率的应用非常重要。6、GaNonSiC：这种材料解决了自支撑GaN衬底高性能器件散热低的问题，对于高温和高功率的电子器件至关重要。7、支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。芯片在网络安全领域的应用，如防火墙、入侵检测等，保障了网络的安全和稳定。山西太赫兹器件及电路芯片流片

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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。山西太赫兹器件及电路芯片流片

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