公共栅极单元与第1发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开;第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元;接地区域设置于第1发射极单元内的任意位置处;电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接,以使检测电阻上产生电压,并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差,提高了检测电流的精度。本发明实施例提供的半导体功率模块,与上述实施例提供的一种igbt芯片具有相同的技术特征,所以也能解决相同的技术问题,达到相同的技术效果。所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的半导体功率模块的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的igbt芯片对应过程,在此不再赘述。另外,在本发明实施例的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在本发明的描述中,需要说明的是。
该igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相对设置;第1表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元,以及,工作区域的第1发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元,其中,第三发射极单元与第1发射极单元连接,公共栅极单元与第1发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开;第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元;接地区域设置于第1发射极单元内的任意位置处;电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接,以使检测电阻上产生电压,并根据电压检测工作区域的工作电流。第二方面,本发明实施例还提供一种半导体功率模块,半导体功率模块配置有第1方面的igbt芯片,还包括驱动集成块和检测电阻;其中,驱动集成块与igbt芯片中公共栅极单元连接,以便于驱动工作区域和电流检测区域工作;以及,还与检测电阻连接,用于获取检测电阻上的电压。本发明实施例带来了以下有益效果:本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块,igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括第1表面和第二表面,且。
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