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压控晶体振荡器(VCXO)：通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。主要应用***电子仪器，5G基建，无线通信信号塔，精密仪表，智能监控等，山东低负载电容型晶振测试，光纤，山东低负载电容型晶振测试，服务器，接收器等。恒温晶体振荡器(OCXO)：利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到**小的晶体振荡器。主要应用在通信基站、3C电子、汽车电子，山东低负载电容型晶振测试、医疗设备、工业设备、仪器仪表、航空航天、****、科研等众多领域。陶瓷晶振能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。山东低负载电容型晶振测试

标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度：振荡器输出频率在室温（25℃±2℃）下相对于标称频率的偏差。调整频差：在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的比较大允许频率偏差。负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。甘肃压控晶振选型晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。

判断反馈电路的类型，因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。按晶振类型可分为无源晶振（晶体谐振器）和有源晶振（晶体振荡器）。

晶振是电子电路中**常用的电子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，单位为Hz。晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。晶振可比喻为各板卡的“心跳”发生器，如果主卡的“心跳”出现问题，必定会使其他各电路出现故障。并联型晶体振荡器。并联型晶体振荡器如图5所示。三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路；C3为交流旁路电容，对交流信号相当于短路；X1为石英晶体，在电路中相当于电感。从交流等效图可以看出，该电路是一个电容三点式振荡器，C1、C2、X1构成选频电路，其选频频率主要由X1决定，频率接近fp。高频用的晶体通常是切成简单的形状，如方形片状。典型的低频用晶体则常切成音叉形，例如手表所使用的。甘肃压控晶振选型

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石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，ResistanceWelded电阻焊，冲压；产品工业的不同，其封装方式及特点也有所不同。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)；SMD晶振在上板上机时可以自动化装配，提高生产效率，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中；应用于智能手机、无线蓝牙、平板电脑等数码产品；DIP因为有脚引，无焊盘，主要通过人工装配，利用手工对产品进行插件与焊接；应用于钟表、平板电脑、微型计算机等。山东低负载电容型晶振测试

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