[VIP第1年] 指数:3
所述一整流二极管及所述第二整流二极管的负极粘接于所述高压供电基岛上，正极分别连接所述火线管脚及所述零线管脚；所述第三整流二极管及第四整流二极管的正极粘接于所述信号地基岛上，负极连接分别连接所述火线管脚及所述零线管脚。可选地，所述至少两个基岛包括火线基岛及零线基岛；所述整流桥包括第五整流二极管、第六整流二极管、第七整流二极管及第八整流二极管；所述第五整流二极管及所述第六整流二极管的负极分别粘接于所述火线基岛及所述零线基岛上，正极连接所述信号地管脚；所述第七整流二极管及所述第八整流二极管的正极分别粘接于所述火线基岛及所述零线基岛上，负极连接所述高压供电管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括电源地管脚，所述整流桥的第二输出端通过基岛或引线连接所述电源地管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管，所述高压续流二极管的负极通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，正极通过基岛或引线连接所述漏极管脚；所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括瞬态二极管及高压续流二极管；所述瞬态二极管的正极通过基岛或引线连接所述高压供电管脚。
包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15)，在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管，所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)。
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