[VIP第1年] 指数:3
以及设置于所述塑封体内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、至少两个基岛；其中，所述整流桥的一交流输入端通过基岛或引线连接所述火线管脚，第二交流输入端通过基岛或引线连接所述零线管脚，一输出端通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，第二输出端通过基岛或引线连接所述信号地管脚；所述逻辑电路的控制信号输出端输出逻辑控制信号，高压端口连接所述功率开关管的漏极，采样端口连接所述采样管脚，接地端口连接所述信号地管脚；所述功率开关管的栅极连接所述逻辑控制信号，漏极连接所述漏极管脚，源极连接所述采样管脚；所述功率开关管及所述逻辑电路分立设置或集成于控制芯片内。可选地，所述火线管脚、所述零线管脚、所述高压供电管脚及所述漏极管脚与临近管脚之间的间距设置为大于。可选地，所述至少两个基岛包括漏极基岛及信号地基岛；当所述功率开关管粘接于所述漏极基岛上时，所述漏极管脚的宽度设置为～1mm；当所述功率开关管设置于所述信号地基岛上时，所述信号地管脚的宽度设置为～1mm。可选地，所述至少两个基岛包括高压供电基岛及信号地基岛；所述整流桥包括一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管及第四整流二极管。
所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs，高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图6所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第四电容c4，变压器，二极管d，第五电容c5，负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图6所示，所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图6所示，所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。
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