[VIP第1年] 指数:3
而这正是所希望的结果。在正常工作状态，电路内部的**取样电阻对负载电流周期性地进行采样，因此避免了因过流导致灾难性后果出现。因此，内部过热保护电路为变换器提供了安全工作区（SAO）。其中MAX668是一个开关控制器，由它完成升压功能。电流反馈型升压控制器（MAX668）驱动低端逻辑电平N沟道增强型MOSFET，该开关管通过低端电流取样电阻到地。**开关是一肖特基二极管，选择它主要是它具有低的正向导通压降。由图可见，升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中，MAX668把，负载电流可达3A。贴片保险丝其中P沟道增强型MOSFET——Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时，二极管D1仍然导通，使得MAX810L的电源端的电压为二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为，因此其RESET端输出为高电平，迫使Q1关断，从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时，其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后，MAX810L的输出变低，使Q1导通。Q1导通之后。MAX810L一直监测输出电压以确定输出是否过流。过载将会导致输出电压下降，当它低于MAX810L门槛电平时。
使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长，同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管，以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻，上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET，如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降（特别是低输出电压应用场合或负载离电源的距离较远时），则应该从Q1漏极端反馈电压调节输出。设计电路时，必须**小化寄生参数同时仔细考虑电路布局。利用一个SOT23封装的低电压模拟开关（MAX4544）可实现上述远端调节，该开关受控于MAX810L的输出，如图4所示。根据MAX4544产品参数，其**低工作电压为。由于输入电压为，而肖特基的正向管压降为，因此即使该升压变换处于关闭模式，MAX4544（及MAX810）也处于工作状态。此时，MAX810输出高电平，MAX4544的公共端COM与其常开端NO（Q1的源极）相连。当MAX668使能时，与MAX4544公共端相连的电阻网络为MAX668提供反馈电压。由于5V电压时MAX4544的导通电阻**大可达60Ω。因此为了得到**小输出电压误差，反馈电阻的取值应该很大。由于3V工作电压时，MAX4544的导通电阻*为120Ω，因此开关MAX4544引入的误差电压很小。
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