储能电容的计算:1)根据工程经验估算:根据工程实践经验,装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw,每瓦对应储能电容容量1μF,则可选用电容至少1200μF。2)根据能量关系式计算:储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压,其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变,每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端,同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量,我们所选用的储能电容最小值为1200UF。其他的可以产生幅度调制、脉冲宽度调制或频率调制输出。常州磁调制电压传感器出厂价

为了加强装置的安全性,大都采用具有变压器隔离的隔离型方案。从功率角度考虑,当选用的功率开关管的额定电压和额定电流相同时,装置的总功率通常和开关管的个数呈正比例关系,故全桥变换器的功率是半桥变换器的2倍,适用于中大功率的场合。基于以上考虑,本方案中补偿装置选用带有变压器隔离的全桥型直流变换器。借助于效率高、动态性能好、线性度高等优点,PWM(脉宽调制)技术在全桥变换器领域得到了广发的关注和应用,已经成为了主流的控制技术。传统的PWM直流变换器开关管工作在硬开关状态。在硬开关的缺陷是很明显的具体表现在:1)开关管的开关损耗随着频率的提高而增加;2)开关管硬关断时电流的突变会产生加在开关管两端的尖峰电压,容易造成开关管被击穿;3)开关管硬开通时其自身结电容放电会产生冲击电流造成开关管的发热。杭州化成分容电压传感器案例该补偿线圈产生的磁通与原边电流产生的磁通大小相等。

前段整流电路直流输出端并联了大容量储能电容,在上电前,电容器初始电压为零,上电瞬间整流输出端直流电压直接加在储能电容上,电容瞬间相当于短路,形成的瞬时冲击电流可能达到100A以上对电网带来冲击。为了限制上电瞬间大电流的冲击,在整流输出端放置一个固态开关。固态开关由晶闸管和限流电阻并联,其中晶闸管的通断受DSP的控制,在上电瞬间,晶闸管未被驱动导通,充电电流流过限流电阻,给予电容一定的充电时间,当电容两端电压上升后开通晶闸管,相当于将限流电阻短路,由整流电路直接对储能电容充电[29]。这样就限制了上电瞬间充电电流的大小,避免了大电流对电网的冲击。
除了滤波电容的容量要选择适当,我们还需要考虑滤波电容的耐压值,电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本,一般电容耐压值比输出电压高一些即可,比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻,因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容,并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流,减小输出端整流桥上的电压,从而降低损耗,高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求,则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算,变压器变比:K=。其中vin(min)是输入电压最小值,vo是输出电压,vd是整流二极管导通压降,Dsec是副边占空比,在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44,在这里可以取值为7.5。当交流电压通过这些极板时,由于电子通过对面极板电压的吸引或排斥作用,电流将开始通过。

图3-6和图3-7所示分别为输出端电压值和电压纹波(图中横纵坐标分别为时间和电压),经过PID闭环反馈后,输出电压值的纹波系数可达0.16%。因为本仿真实验中只加入了电压单闭环反馈,进一步提高精度需要再在外环加入电流反馈环。仿真电路很好的验证了试验参数计算的正确性和合理性,在本电路的初步设计中可以按照仿真电路中参数进行实验电路的搭建。传统的控制技术多是以模拟电路为基础的,其固有的缺陷是显而易见的, 比如 电路本身复杂、模拟器件本身存在差异性、温漂明显、不可编程性。基于这些固有 的缺点,数字化的控制技术优势便展现出来。传感器的输出电压可以表示为这种电路的缺点是。无锡内阻测试仪电压传感器厂家直销
而折射两光波之间的相位差与外施电压成正比。常州磁调制电压传感器出厂价
图3-3所示一次为开关管1(**超前桥臂)的驱动波形和电压波形,图中横纵坐标分别为时间和电压值。开通过程:由图可见当开关驱动波形由低电平变为高低前,开关管两端的电压已经为0,故而开关管的开通是零电压开通。关断过程:由于开关并联有谐振电容,在关断开关管时,开关管端电压不会突变,而是随着谐振电容缓慢上升,故而开关管的关断是软关断。图3-4所示为开关管4(**滞后桥臂)的驱动波形和电压波形,图中横纵坐标分别为时间和电压值。同超前桥臂上开关管一样,滞后桥臂上开关管实现了零开通和软关断。在参数调试过程中,滞后桥臂的软开关对参数更加敏感。谐振电容值过大或者谐振电感值过小可能就无法满足滞后桥臂上开关管的零开通。常州磁调制电压传感器出厂价
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