[VIP第1年] 指数:3
一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）。常州X7S电容哪家好
电容类型由于同一种介质的极化类型不同，其对电场变化的响应速度和极化率也不同。相同体积下，容量不同，导致电容器的介质损耗和容量稳定性不同。材料的温度稳定性按容量可分为两类，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。NPO属于一级陶瓷，其他X7R、X5R、Y5V、Z5U都属于二级陶瓷。陶瓷电容器的特性5.1电容器的实际电路模型电容器作为基本元件之一，在实际生产中并不理想。会有寄生电感和等效串联电阻。同时，由于电容器两极板之间的介质不是相对绝缘的，所以存在较大的绝缘电阻。泰州100uF电容价格陶瓷电容容量从0.5pF起步，可以做到100uF，并且根据电容封装（尺寸）的不同，容量也会不同。
电容与直流偏置电压的关系：***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化，陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响；相对来说，C0G的ESR比较低，所以可以承受比较大的电流，对应的允许施加的交流电压也比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大，可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G，所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时，即使负载的交流电压为额定交流电压，当流经电容器的电流低于额定电流时，允许电容器负载额定交流电压，即平坦部分；
具体来说：将电容的两个管脚短路放电，将万用表的黑色表笔接到电解电容的正极。红色探针接负极(对于指针式万用表，使用数字万用表测量时探针是互调的)。正常时，探头应先向低阻方向摆动，然后逐渐回到无穷大。手的摆动幅度越大或返回速度越慢，电容的容量越大；否则，电容器的容量越小。如果指针在中间某处没有变化，说明电容在漏电。如果电阻指示很小或者为零，说明电容已经击穿短路。因为万用表使用的电池电压一般很低，所以使用测量低耐压电容时比较准确，而当电容耐压较高时，虽然测量是正常的，但施加高电压时可能会发生漏电或击穿。电解电容器多数采用卷绕结构，很容易扩大体积，因此单位体积电容量非常大，比其它电容大几倍到几十倍。
在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。电容作为基本元器件之一，实际生产的电容都不是理想的，会有寄生电感，等效串联电阻存在。常州X7S电容哪家好
钽电容： 优点：体积小、电容量较大、外形多样、长寿命、高可靠性、工作温度范围宽。常州X7S电容哪家好
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。常州X7S电容哪家好
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