半导体材料如何提纯?半导体材料特点主要参数的尺寸与存有于原材料中的杂质原子和晶体缺陷有非常大关联。比如电阻因杂质原子的种类和总数的不一样而很有可能作大范畴的转变，而载流子电子密度和非均衡载流子使用寿命。
一般随杂质原子和晶体缺陷的提升而减少。另一方面，半导体材料的各种各样半导体材料特性又离不了各种各样杂质原子的功效。而针对晶体缺陷，除开在一般状况下需要尽量减少和清除外，有的状况下也期待操纵在一定的水准，乃至当早已存有缺点时能够历经适度的解决而多方面运用。
为了更好地要做到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这类既要限定又要运用的目地，必须发展趋势一套制取符合规定的半导体材料的方式，即说白了半导体材料加工工艺。这种加工工艺大概可归纳为提纯、单晶体制取和杂质与缺点操纵。
半导体材料的提纯“主要是去除原材料中的杂质。提纯方式可分化学方法和物理学法。有机化学提纯是把原材料做成某类正中间化学物质便于系统化去除一些杂质，*终再把原材料(原素)从某类非常容易溶解的化学物质中提取。
物理学提纯常见的是地区冶炼技术性，将要半导体材料筑成锭条，从锭条的一端逐渐产生一定长短的熔融地区。半导体材料如何提纯?运用杂质在凝结全过程中的分凝状况，当此熔区从一端至另一端反复挪动数次后，杂质聚集于锭条的两边。
除掉两边的原材料，剩余的即是具备较高纯的原材料(见区熔法晶体材料)。除此之外也有真空蒸发、真空泵水蒸气蒸馏等物理方法。锗、硅是可以获得的纯净度*大的半导体材料，其关键杂质原子所占占比能够低于百亿元分之一。
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