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NPN型硅三极管.我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百).如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化.如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化.我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了.三极管可以控制电流的开关，实现电路的开关功能。深圳贴片三极管厂家供应
NPN型三极管，穿透电流的测量电路。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。深圳PNP三极管推荐厂家三极管可以作为整流器，将交流电转换为直流电，用于电源等领域。
三极管还具有稳压功能。在稳压电路中，三极管可以通过调整基极电流来稳定输出电压。当输入电压发生变化时，三极管会自动调整其工作状态，以保持输出电压的稳定。这种稳压功能使得三极管在电源、稳压器等电路中得到广泛应用。通过合理设计稳压电路，可以实现对电子设备的稳定供电，提高设备的可靠性和性能。随着电子技术的不断发展，三极管也在不断演进和改进。传统的晶体管已经逐渐被更先进的半导体器件所取代，如场效应晶体管（FET）和双极性晶体管（BJT）。这些新型器件具有更高的性能和更小的尺寸，可以实现更高的集成度和更低的功耗。然而，三极管作为一种经典的电子元件，仍然在某些特定领域中得到广泛应用，如高频放大器、功率放大器等。未来，随着电子技术的不断进步，三极管可能会继续发展出更多的新应用和新功能。
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管可以放大电流和电压信号。
三极管的温度对其工作性能有以下影响：饱和电流（ICsat）：随着温度的升高，饱和电流会增加，导致三极管的放大能力下降。基极电压（VBE）：随着温度的升高，基极电压会下降，导致三极管的放大能力下降。漏极电流（ICBO）：随着温度的升高，漏极电流会增加，导致三极管的静态工作点偏移。为了解决温度效应带来的问题，可以采取以下措施：温度补偿电路：通过在电路中加入温度补偿电路，可以校正温度对三极管工作的影响。例如，可以使用温度补偿二极管来抵消基极电压的温度变化。散热设计：通过合理的散热设计，可以降低三极管的工作温度，减少温度效应对其性能的影响。例如，可以使用散热片、风扇等散热装置来提高散热效果。选择合适的工作点：在设计电路时，可以选择合适的工作点，使得三极管在正常工作温度范围内能够保持稳定的工作性能。选择温度稳定性较好的器件：在选用三极管时，可以选择具有较好温度稳定性的器件，以减小温度效应对其工作性能的影响。 三极管厂家认证深圳盟科电子，质量好，性价比高。深圳锗管三极管厂家直销
三极管全称半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，在电路中主要起开关和放大电流的作用。深圳贴片三极管厂家供应
三极管的运用：
（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC。
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